非易失性存储装置及其操作方法专利登记公告

专利名称：非易失性存储装置及其操作方法

摘要：本发明提供了一种非易失性存储装置及其操作方法。根据示例性实施例，所述非易失性存储装置包括：基底；至少一个串，从基底垂直延伸；位线电流控制电路，经至少一条位线连接到所述至少一个串。所述至少一个串可以包括含有多晶硅的沟道。位线电流控制电路可被构造为当温度减小时根据温度的减小来增加提供给至少一条位线的电流量，以使流过所述至少一个串的沟道的电流增加。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210057997.5

专利申请（专利权）人：三星电子株式会社

专利发明（设计）人：崔炳仁;姜昌锡;李云京

主权项：一种非易失性存储装置，包括：基底；至少一个串，从基底垂直延伸，所述至少一个串包括含有多晶硅材料的沟道；位线电流控制电路，经至少一条位线连接到所述至少一个串，位线电流控制电路被构造为根据温度的减小来增加提供给所述至少一条位线的电流量，以使当温度减小时流过所述至少一个串的沟道的电流增加。

专利地区：韩国