一种生长具有金字塔形貌特征的钴薄膜的磁控溅射方法专利登记公告

专利名称：一种生长具有金字塔形貌特征的钴薄膜的磁控溅射方法

摘要：本发明公开了一种生长具有金字塔形貌特征的钴薄膜的磁控溅射方法，该方法利用磁控溅射法，在没有施加直流偏置电压的条件下，通过控制溅射氩气气压、基片温度、金属靶与相应阳极罩之间的极间电压、极间放电电流，在二氧化硅玻璃上基片制备出具有金字塔形貌的钴薄膜，此薄膜具有(100)或(110)的择优取向；该方法包括：选择纯金属钴靶作为溅射靶材；选择二氧化硅玻璃为生长基片；在溅射室内采用专门的直流磁控溅射工艺，在二氧化硅玻璃基片上磁控溅射钴薄膜；本发明可以适用于不同导电性能基片，并简化了利用磁控溅射法生长出金字塔形貌钴薄膜

专利类型：发明专利

专利号：CN201210058166.X

专利申请（专利权）人：广东工业大学

专利发明（设计）人：王粤;谢致薇;杨元政;徐睿杰;周林;钟焕周;蒋海林;吴金明

主权项：一种生长具有金字塔形貌特征的钴薄膜的磁控溅射方法，其特征在于：利用磁控溅射法，在没有施加直流偏置电压的条件下，通过控制溅射氩气气压、基片温度、金属靶与相应阳极罩之间的极间电压、极间放电电流，在二氧化硅玻璃基片上制备出具有金字塔形貌的钴薄膜，此薄膜具有(100)或(110)的择优取向；该方法的具体步骤如下：步骤1：用纯金属钴靶作为溅射靶材；步骤2：用二氧化硅玻璃为生长基片；步骤3：在溅射室内，采用直流磁控溅射工艺，在二氧化硅玻璃基片上磁控溅射沉积钴薄膜；上述直流磁控溅射工艺是：先将溅射室内的本底真空度抽至1

专利地区：广东