用于高温蚀刻高-K材料栅结构的方法专利登记公告

专利名称：用于高温蚀刻高-K材料栅结构的方法

摘要：本发明提供了一种在高温下蚀刻高-K材料的方法。在一个实施方式中，在衬底上蚀刻高-K材料的方法可以包括将其上沉积有高-K材料层的衬底提供给腔室，利用蚀刻腔室中至少含有含卤素气体的蚀刻气体混合物形成等离子体，保持蚀刻腔室的内部体积表面的温度超过约100摄氏度，同时在等离子体中蚀刻高-K材料层，保持衬底的温度在约100摄氏度和250摄氏度之间，同时在等离子体中蚀刻高-K材料层。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210058517.7

专利申请（专利权）人：应用材料公司

专利发明（设计）人：刘炜;松末英一;沈美华;肖尚可·德谢穆克;川濑羊平;安基特·强·潘;戴维·帕拉加什利;迈克尔·D·威沃思;约翰·I·夏恩;巴尔特·芬奇

主权项：一种蚀刻高?K材料的方法，所述方法包括：将具有形成在多晶硅层上的高?K材料层的衬底提供给蚀刻腔室，其中所述多晶硅层形成在衬底上；在不施加RF偏置功率的情况下，由所述蚀刻腔室中的至少包括含卤素气体的蚀刻气体混合物形成等离子体；将衬底的温度保持在约100摄氏度和约250摄氏度之间并将所述蚀刻腔室的内部体积表面保持在超过约100摄氏度的温度，同时在所述等离子体中蚀刻高?K材料层；以及在将衬底的温度保持在约100摄氏度和约250摄氏度之间并将所述蚀刻腔室的内部体积表面保持在超过约100摄氏度的温度的同时，继续蚀刻

专利地区：美国