一种预防电磁辐射致脑损伤的标志物专利登记公告

专利名称：一种预防电磁辐射致脑损伤的标志物

摘要：本发明公开了属于脑损伤防治技术领域的一种预防电磁辐射致脑损伤的标志物-NMDA受体SNP。该标志物NR2B基因启动子区-217位C/T单核苷酸多态，能准确预测不同基因型大鼠电磁辐射致脑损伤的可能性，为N-甲基-D-天门冬氨酸受体基因及其相关基因的单核苷酸多态性应用于人类电磁辐射致脑损伤的防治奠定了基础。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210058742.0

专利申请（专利权）人：中国人民解放军军事医学科学院放射与辐射医学研究所

专利发明（设计）人：胡向军;王丽峰;田大为;王长振;乔思默;邹勇

主权项：一种预防电磁辐射致脑损伤的标志物，其特征在于，该标志物为N?甲基?D?天门冬氨酸受体单核苷酸多态性。

专利地区：北京