一种扩展SRAM容量的虚拟存储方法专利登记公告

专利名称：一种扩展SRAM容量的虚拟存储方法

摘要：一种扩展SRAM容量的虚拟存储方法，在SRAM上选取交换块，同时在EFlash上选取备份块，SRAM上交换块会分成几个扇区，每个扇区的大小与eflash扇区大小一样，SRAM的扇区作为交换扇区和EFlash的扇区交换数据，从而实现可以任意扩展SRAM空间的目的。本发明在不增加SRAM物理空间的前提下，可以任意地增加SRAM的虚拟空间，减小了芯片的面积，降低了系统的功耗。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210059093.6

专利申请（专利权）人：上海爱信诺航芯电子科技有限公司

专利发明（设计）人：陈诚;朱念好;周玉洁

主权项：一种扩展SRAM容量的虚拟存储方法，其特征在于，该方法包含以下步骤：步骤1、初始化；步骤2、CPU访问SRAM的虚拟地址SramVaddr；步骤3、判断SRAM的虚拟地址SramVaddr是否小于（M?m）K，若是，跳转到步骤10，若否，跳转到步骤4；其中，M是SRAM的总容量，m是SRAM的最后mK字节；步骤4、令SRAM交换扇区虚拟基地址序号Sid=0；步骤5、判断SRAM交换扇区Sid的虚拟基地址是否等于SRAM虚拟基地址SramVaddr，若是，则跳转到步骤10，若否，则跳转到步骤7；步骤6、Si

专利地区：上海