一种金属氧化物半导体管的结温和热阻测量方法专利登记公告

专利名称：一种金属氧化物半导体管的结温和热阻测量方法

摘要：一种金属氧化物半导体管的结温和热阻测量方法，将放置有待测器件的绝缘基板放置在温度控制箱内，并将温度控制箱调至25℃，给待测器件漏源两端施加直流电压，在栅极上施加栅极直流工作电压，测量栅极上的电压为直流工作电压时待测器件漏源两端的电流，撤去栅极上的直流工作电压，再在栅极上施加方波脉冲电压，逐渐增加温度控制箱内部的温度，最高温度不超过测试器件结温，不断地测量待测器件漏源两端的漏电流，当测得的待测器件漏源两端的漏电流与待测器件漏源两端的电流相等时，以此时的温度控制箱内部温度作为等效结温，计算待测器件的热阻值。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210059502.2

专利申请（专利权）人：东南大学

专利发明（设计）人：钱钦松;刘斯扬;张頔;孙伟锋;陆生礼;时龙兴

主权项：一种金属氧化物半导体管的结温和热阻测量方法，其特征在于，步骤1将放置有待测器件的绝缘基板放置在温度控制箱内，并将温度控制箱调至25℃，依据待测器件安全工作区的范围，保证待测器件能够正常工作的前提下，给待测器件漏源两端施加直流电压，步骤2在栅极上施加栅极直流工作电压，测量栅极上的电压为直流工作电压时待测器件漏源两端的电流，步骤3撤去栅极上的直流工作电压，再在栅极上施加方波脉冲电压，所述方波脉冲电压的幅值等于步骤2所述的直流工作电压，占空比小于1％且周期不大于1毫秒，此后，逐渐增加温度控制箱内部的温度，最高温

专利地区：江苏