一种梁膜单岛结构微压高过载传感器芯片专利登记公告

专利名称：一种梁膜单岛结构微压高过载传感器芯片

摘要：一种梁膜单岛结构微压高过载传感器芯片，包括硅基底，硅基底的中部加工有一质量块和四根单梁，将硅基底、质量块及四根单梁围成的区间加工成10～30μm厚的薄膜，硅基底的背面与Pyrex7740玻璃键合，将质量块的背面减薄使质量块与Pyrex7740玻璃之间在真空环境下留有5-10μm的间隙，同时将Pyrex7740玻璃上的防吸附电极插入键合区域，将薄膜、质量块和Pyrex7740玻璃之间形成的腔体抽真空，在硅基底的正面，四个压敏电阻条相互连接组成半开环惠斯通电桥，四根单梁的引入提高了整体的刚度，再次集中了应力，

专利类型：发明专利

专利号：CN201210059808.8

专利申请（专利权）人：西安交通大学

专利发明（设计）人：赵玉龙;于忠亮;孟夏薇;田边;王伟忠

主权项：一种梁膜单岛结构微压高过载传感器芯片，包括硅基底(1)，其特征在于：硅基底(1)的中部加工有一质量块(4)和四根单梁(3?1)、(3?2)、(3?3)、(3?4)，质量块(4)通过四根单梁(3?1)、(3?2)、(3?3)、(3?4)与硅基底(1)连接，将硅基底(1)、质量块(4)及四根单梁(3?1)、(3?2)、(3?3)、(3?4)围成的区间加工成10～30μm厚的薄膜(2)，硅基底(1)的背面与Pyrex7740玻璃(5)键合，将质量块(4)的背面减薄使质量块(4)与Pyrex7740玻璃(5)之间

专利地区：陕西