磁集成自驱动倍流整流半桥三电平直流变换器专利登记公告

专利名称：磁集成自驱动倍流整流半桥三电平直流变换器

摘要：本发明公开一种磁集成自驱动倍流整流半桥三电平直流变换器，包括输入分压电容电路、半桥三电平桥臂、隔离变压器及驱动电路和整流及滤波电路。该变换器采用无飞跨电容和嵌位二极管的半桥三电平拓扑降低了主开关管的电压应力，同时消除了目前常用半桥三电平拓扑的嵌位二极管的可靠性问题；采用同步整流方案降低了副边整流管的通态损耗；采用倍流整流技术进一步降低变压器副边通态损耗，提高效率；采用磁集成和自驱动方案简化了变换器的结构和体积；主变压器采用两个变压器原边串联副边交错并联结构，将输出滤波电感集成在主变压器内部，提高了变换器的

专利类型：发明专利

专利号：CN201210060184.1

专利申请（专利权）人：南京航空航天大学

专利发明（设计）人：刘志军;金科;虞晓阳

主权项：一种磁集成自驱动倍流整流半桥三电平直流变换器，其特征在于：包括输入分压电容电路、半桥三电平桥臂、隔离变压器及驱动电路和整流及滤波电路；输入分压电容电路包括直流电源和两个输入分压电容，其中，第一、二分压电容串联后，第一分压电容的另一端连接直流电源的正极作为输入分压电容电路的正输出端，而第二分压电容的另一端连接直流电源的负极作为输入分压电容电路的负输出端，且所述第一、二分压电容的容量相等；半桥三电平桥臂包括4个均带有寄生体二极管和寄生电容的开关管和一个阻断电容，所述开关管采用MOSFET，该4个开关管依次串联

专利地区：江苏