光电活性二噻吩并苯并二噻吩类共轭聚合物及其制备方法与应用专利登记公告

专利名称：光电活性二噻吩并苯并二噻吩类共轭聚合物及其制备方法与应用

摘要：本发明公开了一种光电活性二噻吩并苯并二噻吩类共轭聚合物及其制备方法与应用。该聚合物的结构式如式I所示，A1和A2独立地代表未取代或含有取代基的下述基团中的任意一种：氢，具有1～30个碳原子的烷基，具有1～30个碳原子的烷氧基，氰基，硝基，酯基，芳基，芳烷基，卤素，卤代烷基，杂烷基，烯基，单键、双键、三键或其组合的取代基取代的芳基；Ar选自未取代或含有取代基的下述基团中的任意一种：亚乙烯基、亚乙炔基、单环亚芳基、双环亚芳基、含至少三个环的亚芳基、单环杂亚芳基、双环杂亚芳基和含至少三个环的杂亚芳基；n代表聚合

专利类型：发明专利

专利号：CN201210060267.0

专利申请（专利权）人：中国科学院化学研究所

专利发明（设计）人：霍利军;侯剑辉;武岳

主权项：结构式如式I所示的聚合物：(式I)其中，A1和A2独立地代表未取代或含有取代基的下述基团中的任意一种：氢，具有1～30个碳原子的烷基，具有1～30个碳原子的烷氧基，氰基，硝基，酯基，芳基，芳烷基，卤素，卤代烷基，杂烷基，烯基，单键、双键、三键或其组合的取代基取代的芳基；Ar选自未取代或含有取代基的下述基团中的任意一种：亚乙烯基、亚乙炔基、单环亚芳基、双环亚芳基、含至少三个环的亚芳基、单环杂亚芳基、双环杂亚芳基和含至少三个环的杂亚芳基；Ar中所述含有取代基的基团中的取代基为1个或2个；所述取代基独立地为芳基

专利地区：北京