半导体装置的布线的形成方法专利登记公告

专利名称：半导体装置的布线的形成方法

摘要：本发明实施方式所涉及的半导体装置的布线的形成方法，包括以下工序：在基板的主面上，以在形成布线图案的位置设置开口部的方式形成绝缘树脂；在开口部的露出基板的区域即底面和包围底面的区域即侧面和与基板的主面相对置的绝缘树脂的面一侧上，使用金属形成第1布线层；以及通过切削工具进行切削，以露出绝缘树脂和第1布线层，第1布线层形成为，在底面上形成的厚度比在侧面上形成的厚度厚。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210060302.9

专利申请（专利权）人：株式会社东芝

专利发明（设计）人：田岛尚之;东条启

主权项：一种半导体装置的布线的形成方法，其特征在于，包括以下工序：在基板的主面上，以在形成布线图案的位置上设置开口部的方式形成绝缘树脂；在上述开口部的露出上述基板的区域即底面和包围上述底面的区域即侧面和与上述基板的主面相对置的上述绝缘树脂的面一侧上，使用金属形成第1布线层；以及通过切削工具进行切削，以露出上述绝缘树脂和上述第1布线层，上述第1布线层被形成为：在上述底面上形成的厚度比在上述侧面上形成的厚度厚。

专利地区：日本