射频功率的检测方法专利登记公告

专利名称：射频功率的检测方法

摘要：本发明涉及一种射频功率的检测方法，包括以下步骤：建氧气流量、腔室气压和射频功率开启时间的工艺菜单，在所述工艺菜单下，测取若干组热氧化厚度对应射频功率的数据，求取热氧化厚度与射频功率的关系；测取裸片表面氧化层的第一厚度T1；裸片放入腔室，在所述工艺菜单下通入氧气；裸片热氧化后，测取裸片表面氧化层的第二厚度T2；求取第二厚度T2与第一厚度T1的差值得到热氧化厚度T3；根据热氧化厚度T3对照所述工艺菜单下热氧化厚度与射频功率的关系，求取射频功率PRF。本发明采用特定工艺条件下热氧化厚度与射频功率的关系，通过获取

专利类型：发明专利

专利号：CN201210061074.7

专利申请（专利权）人：上海宏力半导体制造有限公司

专利发明（设计）人：田守卫;孙洪福;费孝爱;林爱兰

主权项：一种射频功率的检测方法，其特征在于，包括以下步骤：建氧气流量、腔室气压和射频功率开启时间的工艺菜单，在所述工艺菜单下，测取若干组热氧化厚度对应射频功率的数据，求取所述工艺菜单下热氧化厚度与射频功率的关系；测取裸片表面氧化层的第一厚度T1；裸片放入腔室，在所述工艺菜单下通入氧气；裸片热氧化后，测取裸片表面氧化层的第二厚度T2；求取第二厚度T2与第一厚度T1的差值得到热氧化厚度T3；根据热氧化厚度T3对照所述工艺菜单下热氧化厚度与射频功率的关系，求取射频功率PRF。

专利地区：上海