硅层转印基板以及半导体基板的制造方法专利登记公告

专利名称：硅层转印基板以及半导体基板的制造方法

摘要：本发明涉及硅层转印基板以及半导体基板的制造方法，所述硅层转印基板包括：作为第一基板的硅基板；牺牲层；以及转印至第二基板的转印硅层，其中所述牺牲层具有硅化合物层，所述硅化合物层含有由硅以及选自锗和碳中的至少一种元素构成的化合物，并且所述牺牲层被设置在作为第一基板的硅基板上，所述硅化合物层的厚度等于或小于临界膜厚度，所述转印至第二基板的转印硅层被设置在牺牲层上，并且硅基板或者硅层中的至少一者具有与牺牲层相连的沟槽或孔。所述硅层转印基板能够具有几乎不存在缺陷的转印硅层。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210061282.7

专利申请（专利权）人：富士施乐株式会社

专利发明（设计）人：三井实

主权项：一种硅层转印基板，包括：作为第一基板的硅基板；牺牲层；以及转印至第二基板的转印硅层，其中所述牺牲层具有硅化合物层，所述硅化合物层含有由硅以及选自锗和碳中的至少一种元素构成的化合物，并且所述牺牲层被设置在所述作为第一基板的硅基板上，所述硅化合物层的厚度等于或小于临界膜厚度，所述转印至第二基板的转印硅层被设置在所述牺牲层上，并且所述硅基板或所述硅层中的至少一者具有与所述牺牲层相连的沟槽或孔。

专利地区：日本