一种改善有源区光场分布的边发射半导体激光器专利登记公告

专利名称：一种改善有源区光场分布的边发射半导体激光器

摘要：一种改善有源区光场分布的边发射半导体激光器，属于半导体光电子技术领域。包括衬底、N型限制层、N型波导层、多量子阱有源区、P型波导层、P型限制层、P型欧姆接触层构成的半导体激光器外延结构；同时包括了二氧化硅绝缘层、上层P型电极、下层N型电极，其中光栅结构生长在脊形台上，制作过程采用光刻工艺；划片后，将芯片烧结在铜热沉上，封装固定在散热基座上。此结构中脊形台两侧光栅结构的引入改善了有源区光场分布，抑制了注入电流的横向扩展，从而降低半导体激光器的阈值电流。本发明制作工艺简单、成本低、重复性好。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210061698.9

专利申请（专利权）人：北京工业大学

专利发明（设计）人：崔碧峰;计伟;陈京湘;郭伟玲;张松;王晓玲

主权项：一种改善有源区光场分布的边发射半导体激光器，其特征在于：依次包括衬底、N型限制层、N型波导层、多量子阱有源区、P型波导层、P型限制层、P型欧姆接触层构成的外延片结构；且利用湿法腐蚀将外延片两侧腐蚀P型欧姆接触层到P型限制层，深度范围为：400nm?600nm，从而形成脊形台，在脊形台两侧腐蚀出具有周期性的光栅结构。

专利地区：北京