半导体装置用薄膜的制造方法专利登记公告

专利名称：半导体装置用薄膜的制造方法

摘要：本发明提供芯片接合薄膜位于切割薄膜的中心的半导体装置用薄膜的制造方法。一种半导体装置用薄膜的制造方法，所述半导体装置用薄膜通过切割薄膜、芯片接合薄膜和保护薄膜以该顺序层叠而得到，其包括：照射波长400～800nm的光线，基于所得到的光线透射率检测芯片接合薄膜的位置的工序，和基于检测到的芯片接合薄膜的位置，对所述切割薄膜进行冲裁的工序；设切割薄膜和保护薄膜的层叠部分的光线透射率为T1、设切割薄膜与芯片接合薄膜和保护薄膜的层叠部分的光线透射率为T2时，T2/T1为0.04以上。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210061805.8

专利申请（专利权）人：日东电工株式会社

专利发明（设计）人：井上刚一;盛田美希;宍户雄一郎

主权项：一种半导体装置用薄膜的制造方法，所述半导体装置用薄膜通过切割薄膜、芯片接合薄膜和保护薄膜以该顺序层叠而得到，其特征在于，设所述切割薄膜和所述保护薄膜的层叠部分对波长400～800nm的光线透射率为T1、设所述切割薄膜与所述芯片接合薄膜和所述保护薄膜的层叠部分对波长400～800nm的光线透射率为T2时，下式(A)表示的T为4以上，T＝100?((T2/T1)×100)????(A)所述半导体装置用薄膜的制造方法包括：制作切割薄膜的工序，制作芯片接合薄膜的工序，按照将要粘贴的半导体晶片的形状对所述芯片接合薄

专利地区：日本