带有保护薄膜的切割薄膜专利登记公告
专利名称:带有保护薄膜的切割薄膜
摘要:本发明提供可以缩短停机时间并且可以在不引起位置偏移的情况下在半导体晶片上粘贴切割薄膜的带有保护薄膜的切割薄膜。一种带有保护薄膜的切割薄膜,通过将切割薄膜与保护薄膜层叠而得到,其特征在于,所述保护薄膜对波长600~700nm的透射率与切割薄膜的薄膜检测用光最先透射的部分中带有保护薄膜的切割薄膜对波长600~700nm的透射率之差为20%以上。
专利类型:发明专利
专利号:CN201210061857.5
专利申请(专利权)人:日东电工株式会社
专利发明(设计)人:宍户雄一郎;松村健
主权项:一种带有保护薄膜的切割薄膜,通过将切割薄膜与保护薄膜层叠而得到,其特征在于,所述保护薄膜对波长600~700nm的透射率与所述切割薄膜的薄膜检测用光最先透射的部分中所述带有保护薄膜的切割薄膜对波长600~700nm的透射率之差为20%以上。
专利地区:日本
关于上述专利公告申明 : 上述专利公告转载自国家知识产权局网站专利公告栏目,不代表该专利由我公司代理取得,上述专利权利属于专利权人,未经(专利权人)许可,擅自商用是侵权行为。如您希望使用该专利,请搜索专利权人联系方式,获得专利权人的授权许可。