一种p-CuO-n-ZnO太阳能电池及其制备方法专利登记公告
专利名称：一种p-CuO-n-ZnO太阳能电池及其制备方法
摘要：一种p-CuO-n-ZnO太阳能电池，底层至顶层依次叠加为ITO衬底、垂直定向的ZnO纳米棒阵列、CuO薄膜和Au电极，垂直定向的ZnO纳米棒阵列作n型半导体吸收层，CuO薄膜作p型半导体光吸收层和空穴传输层；其制备方法是：利用溶胶凝胶法在ITO上制备ZnO籽晶层，化学浴沉积法制备垂直定向的氧化锌纳米棒阵列，原位生长法在ZnO纳米棒阵列上制备CuO薄膜，用离子束溅射仪溅射Au电极。本发明的优点是：该制备方法设备简单、成本低；采用CuO作为光吸收层和空穴传输层，与有机材料相比有更好的电迁移能力；结合无机Zn
专利类型：发明专利
专利号：CN201210063326.X
专利申请（专利权）人：天津理工大学
专利发明（设计）人：李岚;王丽师;徐建萍;任志瑞;葛林;陈义鹏;李波;李梦真;姜立芳;朱明雪;洪源
主权项：一种p?CuO?n?ZnO太阳能电池，其特征在于：底层至顶层依次叠加为ITO衬底、垂直定向的ZnO纳米棒阵列、CuO薄膜和Au电极，其中垂直定向的ZnO纳米棒阵列作为n型半导体吸收层，CuO薄膜作为p型半导体光吸收层和空穴传输层。
专利地区：天津
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