一种ZnO三维同质pn结纳米阵列及其制备方法专利登记公告
专利名称：一种ZnO三维同质pn结纳米阵列及其制备方法
摘要：本发明涉及ZnO三维同质pn结纳米阵列及其制备方法，该阵列的主干为垂直于衬底的一维p型ZnO纳米线，分支为径向分布的n型ZnO纳米棒。制备方法包括利用气相法在衬底上制备一维直立的ZnO纳米线阵列，通过扩散法把上述阵列转变为一维p型ZnO纳米线阵列，最后通过水热法在p型ZnO纳米阵列上生长径向分布的n型ZnO纳米棒。本发明方法简单易行，重复性高，可通过控制气相反应生长温度和液相溶液浓度来分别调节三维ZnO纳米同质pn结阵列主干和分支的长度和密度，可广泛应用于纳米光电、光催化和能量转换器件等领域。
专利类型：发明专利
专利号：CN201210064478.1
专利申请（专利权）人：浙江大学
专利发明（设计）人：张宏海;吕建国;叶志镇;胡亮;杨晓朋;黄俊
主权项：一种ZnO三维同质pn结纳米阵列，其特征是该阵列的主干为垂直于衬底的一维p型ZnO纳米线，分支为径向分布的n型ZnO纳米棒。
专利地区：浙江
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