一种形成前金属介电质层的方法专利登记公告

专利名称：一种形成前金属介电质层的方法

摘要：本发明公开了一种形成前金属介电质层的方法，其包括：提供一种具有NMOS和PMOS晶体管的半导体衬底；在半导体衬底上沉积一缓冲氧化层；在缓冲氧化层上沉积一具有高拉应力的第一蚀刻阻挡层；沉积一具有拉应力的第一前金属介电质层；沉积一金属硬掩膜层；在所述硬质掩膜层上涂覆一层光刻胶，对PMOS区域和NMOS区域进行光刻，刻蚀至所述第一刻蚀阻挡层，暴露所述PMOS区域，并且保留所述NMOS区域表面的所述第一前金属介电质层；在半导体器件表面沉积具有高压应力的第二蚀刻阻挡层；在第二蚀刻阻挡层上沉积具有压应力的第二前金属介

专利类型：发明专利

专利号：CN201210064628.9

专利申请（专利权）人：上海华力微电子有限公司

专利发明（设计）人：徐强

主权项：一种形成前金属介电质层的方法，其特征在于，包括下列步骤：提供一种具有NMOS和PMOS晶体管的半导体衬底；在所述半导体衬底上沉积一缓冲氧化层；在所述缓冲氧化层上沉积一具有高拉应力的第一蚀刻阻挡层；在所述第一蚀刻阻挡层上沉积一具有拉应力的第一前金属介电质层；在所述第一前金属介电质层上沉积一金属硬掩膜层；在所述硬质掩膜层上涂覆一层光刻胶，对PMOS区域和NMOS区域进行光刻，在PMOS区域，刻蚀至所述第一刻蚀阻挡层，暴露所述PMOS区域，在NMOS区域，刻蚀后保留至所述NMOS区域表面的所述第一前金属介电质层

专利地区：上海