微机电装置的扩散阻挡层专利登记公告

专利名称：微机电装置的扩散阻挡层

摘要：本发明提供一种制造干涉式调制器的方法，其包含：沉积硅层；将扩散阻挡层沉积于所述硅层上；将包括金属的金属层沉积于所述扩散阻挡层上，其中所述扩散阻挡层适合于实质上抑制所述硅层的任何部分与所述金属层的任何部分混合；及利用能够蚀刻所述硅而不是硅与所述金属的合金的蚀刻剂蚀刻所述硅层。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210065596.4

专利申请（专利权）人：高通MEMS科技公司

专利发明（设计）人：王新福;唐明华;斯蒂芬·奇

主权项：一种制造干涉式调制器的方法，其包含：沉积硅层；将扩散阻挡层沉积于所述硅层上；将包括金属的金属层沉积于所述扩散阻挡层上，其中所述扩散阻挡层适合于实质上抑制所述硅层的任何部分与所述金属层的任何部分混合；及利用能够蚀刻所述硅而不是硅与所述金属的合金的蚀刻剂蚀刻所述硅层。

专利地区：美国