一种制备高强高导弥散强化铜的方法专利登记公告

专利名称：一种制备高强高导弥散强化铜的方法

摘要：本发明提供了一种制备高强高导弥散强化铜的方法，属于氧化物弥散强化材料技术领域。以电子线路板含铜蚀刻废液（HW22）为原料，添加弥散相（Al2O3、Y2O3、MgO、ZrO2、ThO2中的一种或两种或多种）对应的可溶性盐类，通过化学中和沉淀工艺制取Cu(OH)2/X(OH)n复合粉末，经煅烧、选择性还原、致密化工艺获得纳米氧化物弥散强化铜。制备的纳米氧化物弥散强化铜材料具有高强、高导性能和优良的抗高温软化性能：室温抗拉强度大于600MPa，导电率大于80%IACS（国际退火（软）铜标准），软化温度高于700

专利类型：发明专利

专利号：CN201210065949.0

专利申请（专利权）人：北京科技大学

专利发明（设计）人：郝俊杰;郭志猛;陈存广;郭雷辰;杨薇薇

主权项：一种制备高强高导弥散强化铜的方法，其特征在于：包括以下工艺步骤：1）Cu(OH)2/X(OH)n复合粉末的制备：以酸性氯化铜蚀刻废液或者碱性氯化铜蚀刻废液或者二者混合液为原料，添加弥散相对应的可溶性盐类，通过化学中和沉淀工艺，获得Cu(OH)2/X(OH)n复合粉末；2）煅烧：将所述Cu(OH)2/X(OH)n复合粉末置于煅烧炉中，煅烧温度为300?~?500?℃，煅烧时间为1?~?2?h，获得复合氧化物粉末；3）选择性还原：将所述复合氧化物粉末在氢气保护气氛中进行还原，还原温度为400?~?900?℃，

专利地区：北京