一种背栅薄膜晶体管存储器的制备方法专利登记公告

专利名称：一种背栅薄膜晶体管存储器的制备方法

摘要：本发明属于半导体集成电路技术领域，具体为一种背栅薄膜晶体管存储器的制备方法。本发明主要步骤有：采用重掺杂的P型单晶硅片为衬底，并作为栅的引出电极；采用ALD方法生长Al2O3薄膜，用作存储器的电荷阻挡层；用ALD淀积金属纳米晶，作电荷俘获层；采用ALD的方法淀积SiO2/HfO2/Al2O3叠层结构，用作存储器的隧穿层；采用ALD的方法淀积IGZO薄膜，通过光刻和湿法刻蚀工艺形成有源区，用作导电沟道；通过光刻工艺形成源、漏区域，然后淀积一层金属，并结合lift-off技术，完成源、漏极的加工。本发明能很好

专利类型：发明专利

专利号：CN201210066084.X

专利申请（专利权）人：复旦大学

专利发明（设计）人：丁士进;崔兴美;陈笋;王鹏飞;张卫

主权项：一种背栅薄膜晶体管存储器的制备方法，其特征在于具体步骤如下：采用电阻率为0.008?0.100?Ω?cm的重掺杂的P型单晶硅片作为衬底，用RCA清洗工艺对硅片进行清洗，然后用氢氟酸去除硅片表面的氧化层；在清洗好的P型单晶硅片上，采用ALD?的方法淀积生长Al2O3薄膜，作为存储器的电荷阻挡层，Al2O3薄膜的厚度为15?200nm；淀积过程中，衬底温度控制在100?300?oC之间；生长Al2O3的反应源为三甲基铝和水蒸气；采用ALD的方法在Al2O3薄膜上淀积生长金属纳米晶作为电荷俘获层，淀积温度控制在

专利地区：上海