一种复合介电薄膜的制备方法专利登记公告

专利名称：一种复合介电薄膜的制备方法

摘要：本发明公开了一种复合介电薄膜的制备方法，该方法以含氟聚合物和混合晶型纳米TiO2混合流延成膜。其中混晶纳米TiO2中两晶型的摩尔组分可以根据反应时间来控制：锐钛矿为36％-45％，金红石为55％-64％；复合介电薄膜质量百分比组成为：混晶纳米TiO2为5％-40％，含氟聚合物为60％-95％。这种复合介电薄膜是具有较高的介电常数，较低的介电损耗的新型介电材料。可以通过控制填料添加比例和填料晶型比例来制备所需介电常数的复合介电薄膜。该复合介电薄膜制备工艺简单、复合温度低且对环境友好，具有广泛的应用前景。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210067067.8

专利申请（专利权）人：北京化工大学

专利发明（设计）人：朱红;林爽;匡锡文;王芳辉

主权项：一种复合介电薄膜的方法，包括如下步骤：1、通过回流法由锐钛矿、金红石两种晶型组成制备不同晶型比例混晶TiO2，混晶TiO2不同的晶型比例可以由反应时间控制，所述回流时间为6?18h；将步骤1制备的混晶TiO2、含氟聚合物和溶剂N，N?二甲基甲酰胺(DMF)混合后，超声搅拌分散均匀，形成稳定的溶胶；将步骤2制备的溶胶在模具上80±1℃流延成膜，干燥18±1h，再经过自然冷却、120±1℃退火8±1h，去除残留溶剂，即得到厚度为110?150μm的混合晶型无机纳米填料/聚合物基复合介电薄膜。

专利地区：北京