从SOI PMOSFET中分离两种可靠性效应导致阈值电压漂移的方法专利登记公告
专利名称：从SOI PMOSFET中分离两种可靠性效应导致阈值电压漂移的方法
摘要：本发明公布了一种从SOI?PMOSFET中分离两种可靠性效应导致阈值电压漂移的方法，用于在SOI?PMOSFET器件的栅端和漏端加上应力偏置条件下分离出HCI效应与NBTI效应对器件的阈值电压漂移大小，其特征是，分别在SOI?PMOSFET器件的栅端和漏端加上电压，测出其阈值电压漂移量；然后用该阈值电压漂移量减去在相同栅电压下测出的阈值电压漂移量，即可分离出HCI效应与NBTI效应这两种可靠性效应对SOI?PMOSFET器件的阈值电压漂移量的不同影响。分离出两种可靠性效应对阈值电压的漂移量大小，能够更好地
专利类型：发明专利
专利号：CN201210067440.X
专利申请（专利权）人：北京大学
专利发明（设计）人：杨东;黄良喜
主权项：一种从SOI?PMOSFET中分离两种可靠性效应导致阈值电压漂移的方法，用于在SOI?PMOSFET器件的栅端和漏端加上应力偏置条件下分离出HCI效应与NBTI效应对器件的阈值电压漂移大小，其特征是，分别在SOI?PMOSFET器件的栅端和漏端加上电压，测出其阈值电压漂移量，此时同时存在HCI效应与NBTI效应；然后用该阈值电压漂移量减去在相同栅电压下测出的阈值电压漂移量，此时只存在NBTI效应，即可分离出HCI效应与NBTI效应这两种可靠性效应对SOI?PMOSFET器件的阈值电压漂移量的不同影响；计算
专利地区：北京
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