纳米多孔PtSi材料及其制备方法专利登记公告

专利名称：纳米多孔PtSi材料及其制备方法

摘要：本发明公开了一种纳米多孔PtSi材料及其制备方法，纳米多孔PtSi材料主要包括PtSi化合物，纳米多孔PtSi材料中均布有三维连通的纳米孔隙。其制备方法包括以下步骤：将铂片和硅粉置于惰性气体气氛下加热融化，保温30～60分钟至熔体均匀后，冷却到室温，制得PtmSi100-m母合金；其中m为10～40；将PtmSi100-m母合金重新熔化，采用单辊甩带法制备PtmSi100-m母合金条带，辊转速为300～6000r/min；以PtmSi100-m母合金条带为工作电极，采用三电极法建立电化学工作站，采用阳极氧

专利类型：发明专利

专利号：CN201210067748.4

专利申请（专利权）人：中国人民解放军国防科学技术大学

专利发明（设计）人：余金山;周新贵;张长瑞

主权项：一种纳米多孔PtSi材料，其特征在于，所述纳米多孔PtSi材料主要包括PtSi化合物，所述纳米多孔PtSi材料中均布有三维连通的纳米孔隙。

专利地区：湖南