复合式氮化镓基半导体生长衬底及其制作方法专利登记公告

专利名称：复合式氮化镓基半导体生长衬底及其制作方法

摘要：本发明提供了一种复合式氮化镓基半导体生长衬底，其包括：基板；晶格缓冲层，形成于石英玻璃上，其由类钻石薄膜(Diamond-LikeCarbon，简称DLC)构成；晶格转换层，形成于晶格缓冲层，其为多晶结构，晶格系数介于GaN与DCL之间。利用DCL与氮化物的组合，克服了石英玻璃或金属基板等普通基板用于生长氮化镓基半导体材料存在的晶格不匹配及热失配等问题，从而降低了现有氮化镓基半导体生长衬底的成本，同时提高了其后续生长的氮化镓基半导体材料的质量。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210067966.8

专利申请（专利权）人：安徽三安光电有限公司

专利发明（设计）人：庄家铭;王振祖;黄惠葵;范慧丽

主权项：复合式氮化镓基半导体生长衬底，其包含：一基板；一晶格缓冲层，形成于石英玻璃上，其由类钻石薄膜构成；一晶格转换层，形成于晶格缓冲层，其晶格系数介于GaN与类钻石薄膜之间。

专利地区：安徽