一种醇热法制备的GaN纳米晶及其制备方法专利登记公告

专利名称：一种醇热法制备的GaN纳米晶及其制备方法

摘要：本发明公开了一种醇热法制备的GaN纳米晶及其制备方法。将前驱物Ga(H2NCONH2)6Cl3置于聚四氟乙烯反应釜中，同时加入醇类溶剂，并用氮气排除聚四氟乙烯反应釜中的空气，然后置于140-200℃下恒温1-7天，让前驱物在高压下分解形成GaN纳米晶。本发明能够制备物相纯净的GaN纳米晶，且产率较高。该制备方法具有方法简单、条件温和、成本低、便于大批量制备高质量GaN纳米晶等优点。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210068017.1

专利申请（专利权）人：福州大学

专利发明（设计）人：胡晓琳;王幸;何小武;陈建中;庄乃锋;赵斌;郭飞云

主权项：一种醇热法制备的GaN纳米晶，其特征在于：所述的GaN纳米晶是由醇热法分解前驱物Ga(H2NCONH2)6Cl3制备得到的。

专利地区：福建