具有MOSFET和IGBT的电路布置专利登记公告

专利名称：具有MOSFET和IGBT的电路布置

摘要：本发明涉及具有MOSFET和IGBT的电路布置。一种电路包括至少一个FET和至少一个IGBT，它们的负载路径并联连接。限压电路耦合到至少一个IGBT的栅极端子。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210068118.9

专利申请（专利权）人：英飞凌科技股份有限公司

专利发明（设计）人：G.德博伊;W.勒斯勒

主权项：一种电路，包括：输入端子和输出端子；至少一个FET，具有栅极端子和漏极?源极路径，所述漏极?源极路径耦合在所述输入端子和所述输出端子之间；至少一个IGBT，具有栅极端子和集电极?发射极路径，所述集电极?发射极路径耦合在所述输入端子和所述输出端子之间；限压电路，耦合到所述至少一个IGBT的栅极端子并且被配置为当跨越所述集电极?发射极路径的电压达到阈值电压时将所述至少一个IGBT驱动到接通状态；以及控制电路，具有耦合到所述至少一个FET的栅极端子的第一驱动输出。

专利地区：德国