半导体装置及其制造方法、光接近处理方法专利登记公告

专利名称：半导体装置及其制造方法、光接近处理方法

摘要：本发明在于提供一种包括逻辑电路的半导体装置，本发明的目的在于缩短处理时间，降低制造成本。进而，为了实现上述目的，逻辑电路的形成区域(114)包括：以规定精度被光接近修正处理的第1区域(114b，170)；以及，以低于规定精度的精度被光接近修正处理的第2区域(114a，180)。特别是，第1区域(114b，170)具有作为晶体管而动作的栅极布线(172)，第2区域(114a，180)具有不作为晶体管而动作的虚拟布图(182)。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210068763.0

专利申请（专利权）人：瑞萨电子株式会社

专利发明（设计）人：田冈弘展;小野祐作

主权项：一种半导体装置，其特征在于，包括：半导体衬底；在上述半导体衬底上形成逻辑电路的逻辑电路区域；以及第1和第2晶体管，具有经栅极绝缘膜形成在上述半导体衬底上的栅电极以及在上述栅电极的两端形成在上述半导体衬底表面上的源极区域/漏极区域，并构成上述逻辑电路，与上述第1和第2晶体管中的栅电极连接的栅极布线具有L形的弯曲部，上述第1晶体管的栅极布线弯曲部的内径小于上述第2晶体管的栅极布线弯曲部的内径。

专利地区：日本