数字域累加CMOS-TDI图像传感器专利登记公告

专利名称：数字域累加CMOS-TDI图像传感器

摘要：本发明涉及数模混合集成电路设计领域。为降低CMOS-TDI图像传感器的芯片面积和功耗的开销，实现较高的行频，同时降低读出噪声实现较高的TDI级数，为达到上述目的，本发明采取的技术方案是，数字域累加CMOS-TDI图像传感器，包括：n行×m列的像素阵列、列并行信号前端处理电路即相关双取样电路CDS、信号放大电路、列并行模数转换器ADC、列并行数字域累加器、列并行除法器、时序控制电路和输出移位寄存器；采用列级架构，即每列放置独立的ADC。本发明主要应用于半导体图像传感器的设计制造。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210068816.9

专利申请（专利权）人：天津大学

专利发明（设计）人：高静;聂凯明;徐江涛;姚素英;史再峰;袁高斌;李渊清

主权项：一种数字域累加CMOS?TDI图像传感器，其特征是，包括：n行×m列的像素阵列、列并行信号前端处理电路即相关双取样电路CDS、信号放大电路、列并行模数转换器ADC、列并行数字域累加器、列并行除法器、时序控制电路和输出移位寄存器；采用列级架构，即每列放置独立的ADC；每列像素输出的模拟信号经过列并行相关双取样电路CDS和放大调整后由列并行模数转换器ADC进行量化，量化后的数字信号进入列并行数字域累加器中完成对相同曝光结果的累加，完成n次累加后的信号通过列并行除法器还原数据位宽，最后进入输出移位寄存器进行串行

专利地区：天津