一种太阳电池双层减反射膜的制备方法专利登记公告

专利名称：一种太阳电池双层减反射膜的制备方法

摘要：本发明公开了一种太阳电池双层减反射膜的制备方法，包括以下步骤：1）利用等离子体增强化学气相沉积方法(PECVD)在经过清洗并扩散形成PN结的晶体硅片上沉积一层氮化硅(Si3N4)薄膜；2）利用液相沉积方法（LPD）在氮化硅薄膜上沉积一层二氧化硅(SiO2)薄膜。本发明的有益效果是：使用简单的液相沉积生产设备，降低了生产成本，并且试验表明所制造的减反射膜的表面反射率低于1.5%，从而提高晶体硅太阳电池的转换效率。?

专利类型：发明专利

专利号：CN201210069349.1

专利申请（专利权）人：江苏辉伦太阳能科技有限公司

专利发明（设计）人：孔凡建;蔡济波

主权项：一种太阳电池双层减反射膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：???????1）利用等离子体增强化学气相沉积方法在经过清洗并扩散形成PN结的晶体硅片上沉积一层氮化硅薄膜；??????2）利用液相沉积方法在氮化硅薄膜上沉积一层二氧化硅薄膜。

专利地区：江苏