半导体芯片、应用其的半导体结构及其制造方法专利登记公告

专利名称：半导体芯片、应用其的半导体结构及其制造方法

摘要：一种半导体芯片、应用其的半导体结构及其制造方法。半导体芯片包括基材及阶梯状导电柱。阶梯状导电柱形成于基材且包括第一导电柱及第二导电柱。第二导电柱形成于第一导电柱上，第二导电柱的剖面积小于第一导电柱的剖面积。第一导电柱及第二导电柱中至少一者各包括第一部分及第二部分，第二部分连接于第一部分且与第一部分之间形成一凹部。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210069995.8

专利申请（专利权）人：日月光半导体制造股份有限公司

专利发明（设计）人：陈建泛;林宏哲;罗健文;刘琪婷

主权项：一种半导体芯片，包括：一基材；以及一阶梯状导电柱，形成于该基材且包括：一第一导电柱；及一第二导电柱，形成于该第一导电柱上，该第二导电柱的剖面积小于该第一导电柱的剖面积；其中，该第一导电柱及该第二导电柱中至少一者各包括一第一部分及一第二部分，该第二部分连接于该第一部分且与该第一部分之间形成一凹部。

专利地区：台湾