高压VDMOS器件结构及其制造方法专利登记公告

专利名称：高压VDMOS器件结构及其制造方法

摘要：本发明提出的高压VDMOS器件结构在原有的VDMOS器件上增加栅极电阻，从而增强VDMOS器件的栅极抗电流冲击能力，大大增加对VDMOS器件栅极的保护，该器件结构简单，简化设计复杂度。同时本发明提出的高压VDMOS器件的制造方法可以在原有的工艺基础上实现，不需要改动工艺，制造简单。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210070588.9

专利申请（专利权）人：杭州士兰微电子股份有限公司

专利发明（设计）人：张邵华;李敏;张凤爽

主权项：高压VDMOS器件结构，其特征在于包括栅极压点与各VDMOS元胞：其中，所述栅极压点依次包括外延层、P型掺杂层、绝缘氧化层、多晶硅层、铝层；多晶硅两端连接铝，一端的铝作为栅极压点，另一端的铝则与所述各VDMOS元胞中的栅极相连接。

专利地区：浙江