用于铁电随机存储器的灵敏放大电路专利登记公告

专利名称：用于铁电随机存储器的灵敏放大电路

摘要：本发明涉及非易失存储器技术领域，尤其涉及一种用于铁电随机存储器的灵敏放大电路。本发明由一对交叉耦合的CMOS反相器，一个栅极接使能信号的PMOS管和一个栅极接使能信号的NMOS管组成；位线预放电信号控制的两个NMOS管可以使得静态时位线电压为零，减小对内部信号的干扰。本发明在读取数据时的抗干扰性和可靠性高，电路结构简单、占用面积小、速度快、功耗低、输入输出合一。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210071214.9

专利申请（专利权）人：河南科技大学

专利发明（设计）人：牛丹梅;张志勇;黄涛;张丽丽;王剑;贾涛;宋晓莉;田伟莉

主权项：一种用于铁电随机存储器的灵敏放大电路，其特征在于包括：两个PMOS管M1、M2，两NMOS管M3、M4，PMOS管M1的栅极与NMOS管M3的栅极相连接，PMOS管M2的栅极与NMOS管M3的栅极相连接，PMOS管M1的漏极连接到NMOS管M3的漏极，PMOS管M2的漏极连接到NMOS管M4的漏极，PMOS管M1的漏极和NMOS管M3的漏共同连接到位线BL，PMOS管M2的漏极和NMOS管M4的漏极共同连接到反位线BLn；PMOS管M1与PMOS管M2的源极相连接后连接到PMOS管M5的漏极，PMOS管M

专利地区：河南