等离子体蚀刻装置及等离子体蚀刻方法专利登记公告

专利名称：等离子体蚀刻装置及等离子体蚀刻方法

摘要：本发明提供一种等离子体蚀刻装置及等离子体蚀刻方法，其为如下所述的技术：在基板的等离子体蚀刻中，对于蚀刻，能获得较高的面内均匀性。预先把握能对形成在晶圆(W)上的多层膜(7)的各膜进行面内均匀性较高的蚀刻的、适当的聚焦环(3)的温度，并作为设定温度反映在处理制程程序(64)中，并且针对被连续蚀刻的各膜、使聚焦环(3)的温度处于包括聚焦环(3)的设定温度的适当的温度范围内的方式控制加热机构及冷却机构。另外，作为聚焦环(3)的加热机构，利用由激光产生的热辐射。另外，在聚焦环(3)的冷却中，不借助作为热介质的加热

专利类型：发明专利

专利号：CN201210072681.3

专利申请（专利权）人：东京毅力科创株式会社

专利发明（设计）人：久保田和宏;斋藤祐介;本田昌伸

主权项：一种等离子体蚀刻装置，其用于利用等离子体对载置于处理容器内的载置部上的基板进行蚀刻，其特征在于，该等离子体蚀刻装置具有：环状构件，其以包围上述载置部上的基板的方式设置，且用于调整等离子体的状态；加热机构，其用于加热该环状构件；冷却机构，其用于冷却上述环状构件；温度检测部，其用于检测上述环状构件的温度；制程程序存储部，其用于存储处理制程程序，该处理制程程序写入有处理条件，该处理条件包括上述环状构件的设定温度，该处理条件用于对基板进行蚀刻；以及执行部，其从上述制程程序存储部读取处理制程程序，基于被读取的上述环

专利地区：日本