原位反应制备方镁石-碳化硅-碳复合粉体的方法专利登记公告

专利名称：原位反应制备方镁石-碳化硅-碳复合粉体的方法

摘要：本发明涉及一种原位反应制备方镁石-碳化硅-碳复合粉体的方法。其技术方案是：先将40~80wt%的菱镁矿粉、5~25wt%的单质硅粉、10~30wt%的石墨和1~10wt%的酚醛树脂搅拌混合，压制成型，自然干燥24小时；再于110~300℃条件下热处理8~24小时，然后在1000~1700℃条件下于还原气氛中保温1~12小时，自然冷却，最后破碎成粒度小于100um的粉体。本发明制备工艺简单，采用的菱镁矿原料存储丰富；所制备的方镁石-碳化硅-碳复合粉体具有优良的抗熔体侵蚀、渗透性能和抗热震性能，能提升高温材料

专利类型：发明专利

专利号：CN201210073016.6

专利申请（专利权）人：武汉科技大学

专利发明（设计）人：魏耀武;李楠;柯昌明;韩兵强;鄢文

主权项：一种原位反应制备方镁石?碳化硅?碳复合粉体的方法，其特征在于先将40~80wt%的菱镁矿粉、5~25wt%的单质硅粉、10~30wt%的石墨和1~10wt%的酚醛树脂搅拌混合，压制成型，自然干燥24小时；再于110~300℃条件下热处理8~24小时，然后在1000~1700℃条件下于还原气氛中保温1~12小时，自然冷却，最后破碎成粒度小于100um的粉体。

专利地区：湖北