一种数据存储设备及其制造方法专利登记公告

专利名称：一种数据存储设备及其制造方法

摘要：本发明公开了一种具有较高稳定性和低漏电性的数据存储设备及其制造方法，该方法包括如下步骤：形成晶体管；形成电容器；其中形成电容器的方法包括如下步骤：形成基板；在基板上形成下电极；在下电极上形成导电层；在导电层上形成铁酸铋层；在铁酸铋层上形成上电极，其中用钙钛矿结构的材料制成导电层，采用溅射法或化学气相沉积法形成铁酸铋层。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210073398.2

专利申请（专利权）人：李宗霖

专利发明（设计）人：李宗霖

主权项：一种数据存储设备的制造方法，该方法包括如下步骤：形成晶体管；形成电容器，将晶体管与电容器电连接；其中，形成所述电容器包括如下步骤：形成基板，在基板上形成下电极，在下电极上形成导电层，在导电层上形成铁酸铋层，在铁酸铋层上形成上电极；其特征在于：导电层为钙钛矿结构的材料；采用溅射法或化学气相沉积法形成铁酸铋层；其中，采用溅射法形成该铁酸铋层的步骤为：将Bi203和Fe203混合后形成混合体，将该混合体形成铁酸铋靶材，在背景压力为10?6~10?4托时，通入氧气与氩气，工作压力为20~40托，将基板加热至200

专利地区：北京