一种用于全极化微波辐射计的校准方法专利登记公告

专利名称：一种用于全极化微波辐射计的校准方法

摘要：本发明公开了一种用于全极化微波辐射计的校准方法，通过设定全极化微波辐射计校准装置的初值、确定过程矩阵、确定矩阵、确定矩阵的条件数、确定最小的来完成全极化微波辐射计的校准。本方法给出了在诸多可以用于全极化辐射计定标的向量中，选取哪些向量可以获得更高定标精度的一个判断依据。采用最小条件数优化后，得到的全极化辐射计校准矩阵具有更小的条件数，使得矩阵求逆的结果更加稳定，误差限会更小，可以提高全极化辐射计的定标精度。本发明方法的特征在于对全极化微波辐射计定标反演矩阵施加误差微扰矩阵，将定标源温度作为优化参数，以及用

专利类型：发明专利

专利号：CN201210073422.2

专利申请（专利权）人：中国航天科工集团第二研究院二〇三所

专利发明（设计）人：程春悦;陈晋龙;年丰

主权项：一种用于全极化微波辐射计的校准方法，其特征在于该方法的具体步骤为：第一步??设定全极化微波辐射计校准装置的初值全极化微波辐射计校准装置的初值包括：变温定标源A、变温定标源B、极化产生器、相位延迟板；变温定标源A包含的参数为变温定标源的发射率e及其物理温度T，两者相乘得到变温定标源A的输出亮温度Tb（A）=eT；变温定标源B包含的参数为变温定标源B的发射率e及其物理温度T，两者相乘可以得到变温定标源的输出亮温度Tb（B）=eT；极化产生器包括的参数有极化产生器线栅方向与被校辐射计垂直极化方向之间的夹角θ，以

专利地区：北京