硅锭及其制造装置和方法、硅晶圆、太阳能电池和硅零件专利登记公告

专利名称：硅锭及其制造装置和方法、硅晶圆、太阳能电池和硅零件

摘要：本发明提供一种硅锭制造装置、硅锭的制造方法及硅锭、硅晶圆、太阳能电池和硅零件，所述硅锭制造装置能够制造杂质量较少且杂质量的偏差较小的硅锭，其具有载置于坩埚上的盖，在盖的平面中心附近连接有惰性气体供给构件，盖具有：载置部，载置于坩埚的侧壁上端面；檐部，从坩埚的侧壁外边向外侧突出；及开口部，沿厚度方向贯穿，檐部配置于坩埚的侧壁上端外周边的10％以上区域的外周侧且从侧壁上端外边的突出长度为50mm以上，开口部形成在距坩埚的侧壁上端内边100mm以内的区域，由开口部形成的坩埚的上端内侧区域的露出面积的合计为坩埚的

专利类型：发明专利

专利号：CN201210073804.5

专利申请（专利权）人：三菱综合材料株式会社;三菱材料电子化成株式会社

专利发明（设计）人：二田伸康;中田嘉信;池田洋

主权项：一种硅锭制造装置，具备有保持硅熔液的坩埚、加热该坩埚的加热器及朝向所述坩埚内供给惰性气体的惰性气体供给构件，所述硅锭制造装置的特征在于，具有载置于所述坩埚上的盖，在所述盖的平面中心附近连接有所述惰性气体供给构件，所述盖具有：载置部，载置于所述坩埚的侧壁上端面；檐部，从所述坩埚的侧壁外边向外侧突出；及开口部，沿厚度方向贯穿，所述檐部配置于所述坩埚的侧壁上端外周边的10％以上区域的外周侧，且从所述侧壁上端外边的突出长度为50mm以上，所述开口部形成在距所述坩埚的侧壁上端内边100mm以内的区域中，由所述开口部

专利地区：日本