一种掺杂电阻率均匀的N型铸造硅多晶及其制备方法专利登记公告

专利名称：一种掺杂电阻率均匀的N型铸造硅多晶及其制备方法

摘要：本发明公开了一种掺杂电阻率均匀的N型铸造硅多晶及其制备方法，其中方法包括如下步骤：将多晶硅料、磷掺杂剂和镓混合后熔融，再利用铸造法生长硅多晶体。本发明可以将90％左右高度的N型磷掺杂多晶硅铸锭的电阻率控制在1.0-2.0Ω.cm范围内，有利于增加N型多晶硅材料在制备高效太阳能电池过程中的利用率，从而使得高效太阳能电池的制造成本大幅度降低，而且操作简单，易于在光伏产业大规模应用。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210073813.4

专利申请（专利权）人：浙江大学

专利发明（设计）人：余学功;肖承全;杨德仁

主权项：一种制备掺杂电阻率均匀的N型铸造硅多晶的方法，其特征在于：将多晶硅料、磷掺杂剂和镓混合后熔融，再利用铸造法生长硅多晶体。

专利地区：浙江