具有高度致密钝化层半导体激光器的制备方法专利登记公告

专利名称：具有高度致密钝化层半导体激光器的制备方法

摘要：本发明涉及一种半导体激光器，特别是具有高度致密钝化层半导体激光器的制备方法。包括以下步骤：在衬底上依次外延生长下金属化层，下限制层，下波导层，下过渡层，量子阱层，上过渡层，上波导层，上限制层，上金属化层，然后制备金属电极；沿芯片边缘线解理后，在半导体激光器前后腔面上通过原子层沉积方法沉积一层高度致密的钝化层，然后在前后腔面的钝化层上沉积增透膜和高反射膜；芯片焊接到热沉，压焊电极引线。本发明高度致密的钝化层更加有效的阻挡其它原子通过钝化层进入到腔面材料中，从而防止腔面光学灾变，提高腔面损伤阈值，提高半导体激

专利类型：发明专利

专利号：CN201210075605.8

专利申请（专利权）人：中国工程物理研究院应用电子学研究所

专利发明（设计）人：郑钢;李弋;高松信;武德勇

主权项：一种具有高度致密钝化层半导体激光器的制备方法，其特征在于包括以下步骤：A、在衬底（1）上依次外延生长半导体激光器结构，包括：下金属化层（2），下限制层（3），下波导层（4），下过渡层（5），量子阱层（6），上过渡层（7），上波导层（8），上限制层（9），上金属化层（10），以及上下金属电极（11、12）；B、沿芯片边缘线解理后，在半导体激光器前后腔面上通过原子层沉积方法沉积一层高度致密的钝化层（14），然后在前腔面的钝化层（14）上沉积增透膜（15），在后腔面的钝化层（14）上沉积高反射膜（16）；C、芯

专利地区：四川