一种片上自校准高精度带隙基准电路专利登记公告

专利名称：一种片上自校准高精度带隙基准电路

摘要：本发明公开了一种片上自校准高精度带隙基准电路，电流源一端与片外参考电阻的一端相连，片外参考电阻的另一端接地，电流源的另一端接电源；第一可编程电流源的一端分别片内多晶硅电阻的一端和数字逻辑电路相连，片内多晶硅电阻的另一端接地，第一可编程电流源的另一端接电源，片内多晶硅电阻的一端和比较器的正极性端相连；第二可编程电流源的一端分别与阱电阻的一端和数字逻辑电路相连，阱电阻的另一端接地，第二可编程电流源的另一端接电源，阱电阻的一端和比较器的正极性端相连；参考电平和比较器的负极性端相连；比较器的输出端和数字逻辑电路相

专利类型：发明专利

专利号：CN201210076358.3

专利申请（专利权）人：天津大学

专利发明（设计）人：高静;孙烨辉

主权项：一种片上自校准高精度带隙基准电路，其特征在于，所述电路包括：电流源(3)、第一可编程电流源(1)、第二可编程电流源(2)、数字逻辑电路(4)、比较器(5)、片外参考电阻(Rref)、片内多晶硅电阻(Rpoly)和阱电阻(Rnwell)，所述电流源(3)的一端与所述片外参考电阻(Rref)的一端相连，所述片外参考电阻(Rref)的另一端接地，所述电流源(3)的另一端接电源(VDD)；所述第一可编程电流源(1)的一端分别与所述片内多晶硅电阻(Rpoly)的一端和所述数字逻辑电路(4)相连，所述片内多晶硅电阻(

专利地区：天津