MOCVD设备的清洁方法专利登记公告

专利名称：MOCVD设备的清洁方法

摘要：一种MOCVD设备的清洁方法，具体包括：向所述反应腔通入清洁气体，所述清洁气体至少包括Ar，利用所述等离子体处理装置将所述清洁气体等离子体化；在所述反应腔顶部形成负偏压，使得所述清洁气体的等离子体被加速并轰击所述反应腔顶部，从而除去位于所述反应腔顶部的残余沉积物。由于所述清洁方法不需要反应腔降温，减少了两次MOCVD工艺之间的等待时间，使得MOCVD设备的生产效率和产能能大幅提高；且由于Ar的等离子体与金属不会发生化学反应，不会对反应腔内壁的材料造成腐蚀。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210077038.X

专利申请（专利权）人：中微半导体设备（上海）有限公司

专利发明（设计）人：尹志尧;杜志游;孟双

主权项：一种MOCVD设备的清洁方法，所述MOCVD设备包括反应腔、等离子体处理装置，其特征在于，包括：向所述反应腔通入清洁气体，所述清洁气体至少包括Ar，利用所述等离子体处理装置将所述清洁气体等离子体化；在所述反应腔顶部形成负偏压，使得所述清洁气体的等离子体被加速并轰击所述反应腔顶部，从而除去位于所述反应腔顶部的残余沉积物。

专利地区：上海