一种P型掺杂ZnS_xSe_1-x纳米材料及其制备方法专利登记公告

专利名称：一种P型掺杂ZnS_xSe_1-x纳米材料及其制备方法

摘要：本发明公开了一种P型掺杂ZnSxSe1-x纳米材料及其制备方法，其中P型掺杂的掺杂源选自AgS、CuS、NH3、PH3中的一种或几种。本发明采用化学气相沉积法，利用气-液-固生长机制合成P型掺杂ZnSxSe1-x纳米材料，通过调节原料ZnSe与ZnS的比例，可以得到不同组分的ZnSxSe1-x纳米材料；通过调节掺杂量，可以调节制备得到的纳米材料的电导率，从而实现了P型掺杂ZnSxSe1-x纳米材料的成分可控、电导率可调的特点。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210077076.5

专利申请（专利权）人：合肥工业大学

专利发明（设计）人：王莉;赵兴志;王祥安;卢敏;罗林宝;揭建胜;李强;朱志峰;张彦;胡继刚

主权项：一种P型掺杂ZnSxSe1?x纳米材料，其特征在于：0＜x＜1；P型掺杂的掺杂源选自Ag2S、CuS、NH3、PH3中的一种或几种。

专利地区：安徽