一种在晶体硅太阳电池前表面制备钝化减反射膜的方法专利登记公告

专利名称：一种在晶体硅太阳电池前表面制备钝化减反射膜的方法

摘要：本发明属于太阳电池技术领域，特别涉及一种在晶体硅太阳电池前表面具有减反射和钝化功能的薄膜的制备方法。其具体步骤是：(1)电池前期工艺：选用衬底为织构化的单晶或多晶硅片的基板，并进行扩散制备p-n结；(2)离子表面轰击：在高真空环境下充入氩气，用离子源对衬底进行表面处理；(3)薄膜沉积：在基板被加热的情况下，充入反应气体，采用中频孪生靶磁控溅射，在衬底上沉积出含氢的氮化硅薄膜或者二氧化硅/含氢的氮化硅薄膜；(4)高温烧结：印刷电池后对电池进行高温烧结。该制备方法原料来源广泛、成本较低且使用安全，制备工艺的温

专利类型：发明专利

专利号：CN201210077168.3

专利申请（专利权）人：中山大学

专利发明（设计）人：洪瑞江;陶路平

主权项：一种在晶体硅太阳电池前表面制备钝化减反射膜的方法，其具体步骤是：(1)电池前期工艺：选用衬底为织构化的单晶或多晶硅片的基板，并进行扩散制备p?n结；(2)离子表面轰击：在高真空环境下充入氩气，用离子源对衬底进行表面处理；(3)薄膜沉积：在基板被加热的情况下，充入反应气体，采用中频孪生靶磁控溅射，在衬底上沉积出氮化硅薄膜于衬底上；(4)高温烧结：印刷电池后对电池进行高温烧结。

专利地区：广东