C波段低插损高抑制微型带通滤波器专利登记公告

专利名称：C波段低插损高抑制微型带通滤波器

摘要：本发明涉及一种C波段低插损高抑制微型带通滤波器，包括表面安装的50欧姆阻抗输入/输出端口、四个并联谐振单元、三个级间耦合电路、一个Z字形交叉耦合电路、输入和输出电感，上述结构均采用多层低温共烧陶瓷工艺技术实现。本发明具有通带选择性好、带外抑制好、插入损耗低、体积小、重量轻、可靠性高、电性能好、相位频率特性线性度好、温度稳定性好、电性能批量一致性好、成本低、可大批量生产等优点。特别适合航空、航天、雷达系统、单兵智能武器、机载和弹载的无线系统中的微型微波器件。?

专利类型：发明专利

专利号：CN201210078091.1

专利申请（专利权）人：南京理工大学常熟研究院有限公司

专利发明（设计）人：戴永胜;吴迎春;陈建锋;范小龙;李旭;戚湧;吴建星;韦晨君;郭风英;韩群飞;尹洪浩;左同生;冯媛;谢秋月;李平;孙宏途;汉敏;王立杰;陈少波;徐利;周聪;张红;陈曦;於秋杉;杨健

主权项：一种C波段低插损高抑制微型带通滤波器，其特征在于：包括表面贴装的50欧姆阻抗输入端口（P1）、输入电感（Lin）、由第一电感（L4）和第一电容（C4）并联而成的第一级并联谐振单元(L4、C4)、由第一耦合电感（L43）和第一耦合电容（C43）串联而成的第一电磁耦合电路（L43、C43）、由第二电感（L3）和第二电容（C3）并联而成的第二级并联谐振单元(L3、C3)、由第二耦合电感（L32）和第二耦合电容（C32）串联而成的第二电磁耦合电路（L32、C32）、由第三电感（L2）和第三电容（C2）并联而成的第

专利地区：江苏