高效率非对称光场分布垂直腔面发射半导体激光器专利登记公告

专利名称：高效率非对称光场分布垂直腔面发射半导体激光器

摘要：高效率非对称光场分布垂直腔面发射半导体激光器，属于半导体激光器技术领域，为解决现有的垂直腔面发射半导体激光器光场在P型DBR一侧的高损耗、激光器的转换效率受到限制的问题，本发明提供高效率非对称光场分布的垂直腔面发射半导体激光器，该激光器由下至上依次为N面电极、N型衬底、N型缓冲层、N型分段DBR、有源区、氧化限制层、P型分段DBR、P型盖层和P面电极；所述N型分段DBR在靠近有源区的前6-8对N型DBR的高、低折射率材料对的折射率差小于后面的高、低折射率材料对的折射率差；P型分段DBR在靠近有源区的前6-

专利类型：发明专利

专利号：CN201210079120.6

专利申请（专利权）人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

专利发明（设计）人：张建伟;宁永强;秦莉;刘云;曾玉刚;王立军

主权项：高效率非对称光场分布垂直腔面发射半导体激光器，该激光器由下至上依次为N面电极(9)、N型衬底(1)、N型缓冲层(2)、N型分段DBR(3)、有源区(4)、氧化限制层(5)、P型分段DBR(6)、P型盖层(7)和P面电极(8)；所述P面电极(8)放置在P型盖层(7)的顶面上且电连接到P型盖层(7)，所述N面电极(9)位于N型衬底(1)的背面且电连接到N型衬底(1)，所述有源区(4)位于N型分段DBR(3)与P型分段DBR(6)之间，有源区(4)内引入增益介质层(4a)，其特征在于，所述N型分段DBR(3)和

专利地区：吉林