一种平面电阻蚀刻方法专利登记公告

专利名称：一种平面电阻蚀刻方法

摘要：本发明公开了一种平面电阻蚀刻方法，包括步骤：C、向蚀刻缸中加入浓度为200～300g/l的硫酸铜溶液和浓度为4～6ml/l的硫酸溶液进行均匀混合，并调整混合后溶液的PH值为1.5～2.5，之后加温到88℃～92℃，然后将内层芯板置入该溶液中4～6分钟，使内层芯板中电阻层表面的镍磷合金层被蚀刻掉。本发明采用浓度为200～300g/l的硫酸铜溶液和浓度为4～6ml/l的硫酸溶液进行混合，并在pH值为1.5～2.5，温度为88℃～92℃的情况下，对电阻层表面的镍磷合金层进行蚀刻，大大降低了平面电阻蚀刻的难度。与

专利类型：发明专利

专利号：CN201210079461.3

专利申请（专利权）人：深圳崇达多层线路板有限公司

专利发明（设计）人：欧植夫;彭卫红;焦荣辉;刘东

主权项：一种平面电阻蚀刻方法，其特征在于包括：C、向蚀刻缸中加入浓度为200～300g/l的硫酸铜溶液和浓度为4～6ml/l的硫酸溶液进行均匀混合，并调整混合后溶液的PH值为1.5～2.5，之后加温到88℃～92℃，然后将内层芯板置入该溶液中4～6分钟，使内层芯板中电阻层表面的镍磷合金层被蚀刻掉。

专利地区：广东