光电转换装置专利登记公告

专利名称：光电转换装置

摘要：本发明的目的之一是提供一种开路电压高且转换效率高的光电转换装置。在一对电极之间层叠具有p型导电型的第一半导体层、具有p型导电型的第二半导体层以及具有n型导电型的第三半导体层，来形成具有pn结的光电转换装置。第一半导体层为化合物半导体层，第二半导体层使用有机化合物及无机化合物形成，作为该有机化合物使用空穴传输性高的材料，并且作为该无机化合物使用具有电子接受性的过渡金属氧化物。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210080386.2

专利申请（专利权）人：株式会社半导体能源研究所

专利发明（设计）人：浅见良信;山崎舜平

主权项：一种光电转换装置，包括：一对电极；具有p型导电型的第一半导体层；具有p型导电型且与所述第一半导体层接触的第二半导体层；具有n型导电型且与所述第二半导体层接触的第三半导体层；以及与所述第三半导体层接触的透光导电膜，其中所述第一导电层、所述第二导电层、所述第三导电层以及所述透光导电膜设置在所述一对电极之间，并且所述第二半导体层含有合成材料，所述合成材料含有有机化合物及无机化合物。

专利地区：日本