一种高密度缓变场限环结构及其制造工艺专利登记公告

专利名称：一种高密度缓变场限环结构及其制造工艺

摘要：一种高密度缓变场限环结构及其制造工艺，属于开关型高压功率器件技术领域。环绕于器件元胞区的四周的缓变场限环结构主要包括与各场限环相对应的场板以及一个截止环，场限环从器件元胞区的边缘开始向截止环依次排列。场限环中的主结环与器件元胞区pbody相互重叠，各场限环之间的距离不等，从第1场限环向外，相邻的场限环之间的距离依次增加，每个场限环的半径依次减小，相邻场限环的重叠度依次变小，最外的场限环互相分离。该缓变场限环结构未增加工艺的复杂性，具有器件集成度高以及工艺窗口大的显著特点，大幅度降低功率器件外围结终端结构占

专利类型：发明专利

专利号：CN201210081136.0

专利申请（专利权）人：大连理工大学

专利发明（设计）人：瞿学选

主权项：一种高密度缓变场限环结构，该结构的中间为功率器件元胞区元胞阵列并联而成，而缓变场限环结构环绕于器件元胞区的四周，其特征在于：所述结构主要包括与各场限环(2)相对应的场板(3)以及一个截止环(4)，场限环(2)从器件元胞区(1)的边缘开始向截止环(4)依次排列；器件元胞区(1)包括栅氧化层(6)和多晶硅(7)，器件元胞区pbody(5)位于器件元胞区(1)内和边缘的硅片表面层；所述场板(3)的上部位于介质层(10)中，下部位于场氧化硅层(9)中；场氧化层(9)经刻蚀后留下环带状刻蚀槽，与元胞区栅氧化层(6)

专利地区：辽宁