金电极及其制备方法专利登记公告

专利名称：金电极及其制备方法

摘要：本发明涉及金电极及其制备方法。其中，在金电极表面形成自组装分子膜的方法包括：将DNA溶液与第一硫醇溶液混合，以便得到含有DNA和硫醇的混合液；将金电极置于含有DNA和硫醇的混合液中，以便在金电极表面形成初级自组装分子膜；以及将表面形成初级自组装分子膜的金电极置于第二硫醇溶液中，以便在金电极表面形成自组装分子膜。利用本发明的在金电极表面形成自组装分子膜的方法制备的自组装分子膜排列密度高、缺陷密度小、电化学特性稳定。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210082608.4

专利申请（专利权）人：清华大学

专利发明（设计）人：刘大猛;留丽霞

主权项：一种在金电极表面形成自组装分子膜的方法，其特征在于，包括：将DNA溶液与第一硫醇溶液混合，以便得到含有DNA和硫醇的混合液；将所述金电极置于所述含有DNA和硫醇的混合液中，以便在所述金电极表面形成初级自组装分子膜；以及将表面形成初级自组装分子膜的金电极置于第二硫醇溶液中，以便在所述金电极表面形成自组装分子膜。

专利地区：北京